RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
45
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
6.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
45
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
6.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
1499
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link