RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
41
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
39
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2782
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link