RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
41
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
39
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
7.3
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
2782
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link