RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3310
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link