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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Razões a considerar
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
41
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
10600
Por volta de 2.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
23400
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
3310
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
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