RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
48
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
48
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2431
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link