RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
41
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
18
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3814
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link