RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
41
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
18
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3529
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link