RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
41
Около -128% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
18
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
20.4
Скорость записи, Гб/сек
7.3
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
3529
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link