RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
41
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2349
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link