Porównanie pamięci RAM SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Wynik ogólny

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

41 74

Wokół strony 45% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

13.6 11.6

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.7 7.3

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 10600

Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1438 1616

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns