RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
66
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,451.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
10600
6400
Wokół strony 1.66% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
43
66
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
3,099.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
1,451.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
6400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
511
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link