SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB против ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB

ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    43 left arrow 66
    Около 35% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    6.8 left arrow 1,451.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    10600 left arrow 6400
    Около 1.66% выше полоса пропускания
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 10.7
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    43 left arrow 66
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.7 left arrow 3,099.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    6.8 left arrow 1,451.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1314 left arrow 511
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения