RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2909
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C10 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link