RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
3703
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link