RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
3784
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link