RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2771
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link