RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
3722
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link