RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
46
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
46
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2325
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link