RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
43
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2417
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link