RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
61
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
61
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
8.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
1813
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link