RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
61
En 30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.7
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
61
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
8.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
1813
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link