RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2648
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kllisre 0000 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link