RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
バグを報告する
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB 考慮すべき理由
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 43
    周辺 -54% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 10.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    10.7 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1314 left arrow 2648

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAMの比較

Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB RAMの比較

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
メモリRAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
メモリRAM