RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3495
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link