RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
38
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3313
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link