RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
38
Autour de -6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
3313
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link