RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2891
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link