RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2559
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link