RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
42
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2476
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link