RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
23.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
4114
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link