RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
78
Wokół strony 1% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
78
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1526
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link