RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
38
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
19
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3499
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link