RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
38
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
19
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
20.0
Скорость записи, Гб/сек
6.6
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
3499
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link