RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
101
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
101
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
1382
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link