RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
101
Por volta de 62% menor latência
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.1
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.7
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
101
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
12.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
6.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1406
1382
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link