RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2238
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link