RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
38
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2497
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link