RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
38
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3172
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link