RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2907
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link