RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
42
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.4
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2907
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link