RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
90
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
90
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
1743
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link