RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
38
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
19
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3290
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link