RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
25
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
20
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
4215
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link