RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
39
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1775
2298
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9965434-071.A00LF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link