SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB против Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Средняя оценка

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Сообщить об ошибке

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Причины выбрать
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 39

Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.6 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.8 7.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 38
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 14.6
Скорость записи, Гб/сек

7.7 10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1775 2298

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB

Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB

Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 9905630-052.A00G 16GB

Kingston 9905630-052.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

модули RAM