RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB против Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
39
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
14.6
Скорость записи, Гб/сек
7.7
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1775
2298
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link