RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
85
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
5.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
85
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
1277
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link