RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2635
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link