RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
43
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2843
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link