RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
74
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
74
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
1714
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link